最近粗略的看了三个PoE PD方案,分别是:
核心芯片 | 品牌 | 拓扑结构 | 说明 |
BD9G341AEFJ | ROHM | Buck | 非隔离、无变压器单元。外围电路简单。需前端PD模块。 |
LT3748 | LINEAR | Flyback | 隔离、反激、主边反馈。需前端PD模块。 |
Si3404-A-GM | SKYWORKS | Flyback | 隔离、反激、副边反馈。内置PD模块。 |
DPA425R |
从电路的复杂程度上而言,BD9G341AEFJ看上去是最简单的。它没有用到变压器结构、也没有隔离机制,因而用到的IC既少、又容易获得。所以我想先尝试以BD9G341AEFJ为目标,自己试着实现一个DCDC模块。
在Mouser上能够看到这个芯片共有两款料号,分别是BD9G341AEFJ-E2和BD9G341AEFJ-LBE2。其中后者尾椎中多出来的“LB”是long time support in Industrial market的含义。也就是说如果面向工业化设计时,BD9G341AEFJ-LBE2这款芯片更适合采用。
此外在Mouser上还有一款BD9G341AEFJ-EVK-101评估板,它的BD9G341AEFJ-EVK-101 Datasheet (PDF)详尽的给出了这款评估板的设计方案。如此就为采用这款芯片进行开发,提供了非常有价值的参考。
评估板所提供的真实电路原理图与技术手册中给出的典型应用原理图,几乎是完全一样的,但额外的会给出更详尽的IC规格参数和封装规格,同时会对PCB布局、布线和整体结构设计,给出更细节的说明。因而理论上,只要按照评估板的指导,就可以快速实现出相同的样板。
二、LT3748
这个芯片在DCDC到比较高的电压时、例如DCDC到40~50V电压时,副边可以直接用整流二极管,原因是二极管有0.7V的压降并不会太敏感,而且效率低一些也不会在功率角度上太敏感。但是如果是DCDC到5V、3.3V这样的电压水平,那么副边使用整流二极管就会对电压或功率造成比较大的影响了。
因而官方手册中提到了使用LT8309驱动器,可以使副边整流压降损失小一些、小很多。
因而LT3748+LT8309是一个更典型的、官方推荐的应用方案。
在LT3748和LT8309的技术手册中,分别都有他们二者组合的应用电路推荐,细节上有一些差异,下面将两张图叠放在一起,方便观察:

上图是LT3748中的电路,可以看到其中存在着若干细节差异:

2、尚未详细推敲【需学习】
3、二者基本一致,应不用过多考量;
4、不理解,需深入学习【需学习】
5、主边反馈配置电阻,无需过多推敲,只需要按照这个配置设计就好;
6、TC电阻,温度补偿用么?需要详细了解、学习一下;【需学习】
7、SS电容是软起动电容,LT3748表达的时候,用的电容相对更大一些,可以让软起动更慢、更平缓一点,有利于自己更稳妥的进入工作状态。LT8309表达的时候,只是说明一下他自己前面的3748有这个配置,所以表达的更激进一些。
8、未了解【需学习】
9、LT3748在表达的时候,更强调了能耗,因而对自己(LT3748)在稳态工作时的自身电力供给,是通过变压器aux线圈提供的能量;而下图LT8309旨在说明自己(LT8309)的应用方式,所以并未过多对控制器部分的供电进行优化;
10、对去地电流稍作阻碍,已得到一个微小的反馈;【需学习】
11、需要详细了解一下3Ω和10Ω的差异;【需学习】
12、2.15k和2.2k区别不大,可先效仿着设计。但是这个地方的具体工作原理,还需要再花时间详细了解一下;【需学习】
13、输出电容,大一些没什么不好。我今天对这里进行了调整,不过我使用的是相对小一些的220uF,感觉太小了。如果可能,这里还可以再改大一些。